heterojunction ដែលបង្កើតឡើងនៅចំណុចប្រទាក់ amorphous/crystalline silicon (a-Si:H/c-Si) មានលក្ខណៈសម្បត្តិអេឡិចត្រូនិចតែមួយគត់ ដែលសមរម្យសម្រាប់កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ silicon heterojunction (SHJ) ។ការរួមបញ្ចូលនៃស្រទាប់ passivation a-Si:H ស្តើងជ្រុល សម្រេចបាននូវវ៉ុលសៀគ្វីបើកចំហខ្ពស់ (Voc) នៃ 750 mV ។ជាងនេះទៅទៀត ស្រទាប់ទំនាក់ទំនង a-Si:H ដែល doped ជាមួយ n-type ឬ p-type អាចគ្រីស្តាល់ទៅជាដំណាក់កាលចម្រុះ កាត់បន្ថយការស្រូបយកប៉ារ៉ាស៊ីត និងបង្កើនការជ្រើសរើស និងប្រសិទ្ធភាពនៃការប្រមូលផ្តុំ។
Xu Xixiang, Li Zhenguo របស់ក្រុមហ៊ុន LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. បានទទួលនូវប្រសិទ្ធភាព 26.6% នៃកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ SHJ នៅលើបន្ទះស៊ីលីកុនប្រភេទ P ។អ្នកនិពន្ធបានប្រើយុទ្ធសាស្ត្រព្យាបាលការសាយភាយផូស្វ័រ និងបានប្រើប្រាស់ស៊ីលីកុន nanocrystalline (nc-Si:H) សម្រាប់ទំនាក់ទំនងជ្រើសរើសតាមក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូន ដោយបង្កើនប្រសិទ្ធភាពនៃកោសិកាថាមពលពន្លឺព្រះអាទិត្យប្រភេទ P-SHJ យ៉ាងសំខាន់ដល់ 26.56% ដូច្នេះហើយទើបបង្កើតជាគំរូដំណើរការថ្មីសម្រាប់ P - ប្រភេទកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យស៊ីលីកុន។
អ្នកនិពន្ធផ្តល់នូវការពិភាក្សាលម្អិតអំពីការអភិវឌ្ឍន៍ដំណើរការរបស់ឧបករណ៍ និងការធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវការអនុវត្ត photovoltaic ។ជាចុងក្រោយ ការវិភាគការបាត់បង់ថាមពលត្រូវបានធ្វើឡើងដើម្បីកំណត់ផ្លូវនៃការអភិវឌ្ឍន៍នាពេលអនាគតនៃបច្ចេកវិទ្យាកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ P-type SHJ ។
ពេលវេលាប្រកាស៖ ថ្ងៃទី ១៨-២៤ ខែមីនា