ប្រសិទ្ធភាពកោសិកា Heterojungtere 26,6% លើប្រភេទ Silicon ប្រភេទ Silicon Wafers ត្រូវបានសម្រេច។

Heterojunction បានបង្កើតឡើងនៅចំណុចប្រទាក់ Silicous (A-Si: H / C-Si) មានលក្ខណៈសម្បត្តិអេឡិចត្រូនិចដែលមានតែមួយគត់ដែលសមស្របសម្រាប់ស៊ីលីកុន Heterojunction (Shj) កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ។ ការធ្វើសមាហរណកម្ម A-Si: ស្រទាប់អកម្មឡើងទទួលបានវ៉ុលបើកចំហខ្ពស់ (VOC) នៃ 750 MV ។ លើសពីនេះទៅទៀតអេអាយអេសៈស្រទាប់ទំនាក់ទំនងអេចអេមដែលមានប្រភេទ N ប្រភេទឬ P-Pays អាចគ្រីស្តាល់ចូលទៅក្នុងដំណាក់កាលចម្រុះកាត់បន្ថយការស្រូបយកធរណីមាត្រនិងការបង្កើនប្រសិទ្ធភាពនៃការជ្រើសរើសរបស់ក្រុមហ៊ុនអាកាសចរណ៍និងប្រសិទ្ធភាពប្រមូលរបស់ក្រុមហ៊ុនអាកាសចរណ៍។

ក្រុមហ៊ុនឡុងហ្គេលឡៃតិចណូឡូជីខូអិលធីឌី អ្នកនិពន្ធបានប្រើយុទ្ធសាស្រ្តធ្វើត្រាប់តាម phosphorus ដែលបានប្រើប្រាស់ Silicon Nanocrystaltaline (NC-Si: H) សម្រាប់ទំនាក់ទំនងដែលបានជ្រើសរើស Sp ប្រភេទ SHJ SHJS TYSF ទៅ 26,56% ដូច្នេះការបង្កើតការសម្តែងថ្មីរបស់ P - កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យស៊ីលីខន។

អ្នកនិពន្ធផ្តល់នូវការពិភាក្សាលម្អិតនៅលើការអភិវឌ្ឍដំណើរការរបស់ឧបករណ៍និងការកែលម្អការអនុវត្តកម្មវិធី Photovoldaic ។ ចុងបញ្ចប់ការវិភាគនៃការបាត់បង់ថាមពលត្រូវបានធ្វើឡើងដើម្បីកំណត់ផ្លូវអភិវឌ្ឍន៍នាពេលអនាគតនៃបច្ចេកវិទ្យាកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ Shj shj ។